民德电子：长城证券股份有限公司关于深圳市民德电子科技股份有限公司2021年度向特定对象发行A股股票之上市保荐书

　　　　　　长城证券股份有限公司

　　　　　　　　　　　　　关于

　 深圳市民德电子科技股份有限公司

　2021 年度向特定对象发行 A 股股票

　　　　　　　　　　　　　　之

　　　　　　　　　　 上市保荐书

　　　　　　　保荐机构（主承销商）

（深圳市福田区福田街道金田路 2026 号能源大厦南塔楼 10-19 层）

　　　　　　　　　二�二二年一月

　　　　　　　　　　　　　　　0

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　上市保荐书

　　　　　　　　　　　　　　　　声　　　 明

　　长城证券股份有限公司（以下简称“长城证券”、“保荐机构”或“保荐人”）

接受深圳市民德电子科技股份有限公司（以下简称“发行人”、“公司”或“民德

电子”）的委托，就发行人 2021 年度向特定对象发行 A 股股票事项出具本上市

保荐书。

　　本保荐机构及其指定保荐代表人根据《公司法》《证券法》《创业板上市公司

证券发行注册管理办法（试行）》《证券发行上市保荐业务管理办法》等有关法律、

法规、中国证监会和深圳证券交易所的有关规定，诚实守信，勤勉尽责，严格按

照依法制订的业务规则、行业执业规范和道德准则出具发行保荐书，并保证所出

具文件的真实性、准确性和完整性。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　 1

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 上市保荐书

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 释义

　　　 在本保荐书中，除非文义载明，以下简称具有如下含义：

公司、发行人、上市公司、　　　　深圳市民德电子科技股份有限公司，在深圳证券交易所创

　　　　　　　　　　　　　 指

民德电子　　　　　　　　　　　　业板上市，股票代码为 300656

保荐机构、保荐人、主承销

　　　　　　　　　　　　　 指　 长城证券股份有限公司

商、长城证券

本次发行、本次向特定对象

发行 A 股股票、本次向特　　指　 民德电子 2021 年度向特定对象发行 A 股股票

定对象发行股票

定价基准日　　　　　　　　 指　 本次向特定对象发行股票的发行期首日

　　　　　　　　　　　　　　　　本次发行募集资金所投向的“碳化硅功率器件的研发和

募集资金投资项目、募投项　　　　产业化项目”和“适用于新型能源供给的高端沟槽式肖

　　　　　　　　　　　　　 指

目　　　　　　　　　　　　　　　特基二极管产能的提升及技术改进项目”及补充流动资

　　　　　　　　　　　　　　　　金项目

控股股东、实际控制人　　　 指　 许香灿先生和许文焕先生

广微集成　　　　　　　　　 指　 公司控股子公司广微集成技术（深圳）有限公司

晶睿电子　　　　　　　　　 指　 公司参股子公司浙江晶睿电子科技有限公司

深交所　　　　　　　　　　 指　 深圳证券交易所

《证券法》　　　　　　　　 指　 《中华人民共和国证券法》

《注册管理办法》　　　　　 指　 《创业板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》

《股票上市规则》　　　　　 指　 《深圳证券交易所创业板股票上市规则》（2020 年 12 月）

中国证监会、证监会　　　　 指　 中国证券监督管理委员会

最近三年及一期、报告期　　 指　 2018 年、2019 年、2020 年和 2021 年 1-9 月

发行人律师、华商律师　　　 指　 广东华商律师事务所

会计师、立信　　　　　　　 指　 立信会计师事务所(特殊普通合伙)

登记结算公司　　　　　　　 指　 中国证券登记结算有限责任公司深圳分公司

元　　　　　　　　　　　　 指　 人民币元

万元　　　　　　　　　　　 指　 人民币万元

　　　　　　　　　　　　　　　　又称电力电子器件，是通过半导体的单向导电性实现电源

功率半导体　　　　　　　　 指　 开关和电力转换的电子器件，主要包括功率器件、功率集

　　　　　　　　　　　　　　　　成电路

　　　　　　　　　　　　　　　　以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、

第三代半导体　　　　　　　 指

　　　　　　　　　　　　　　　　金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料，具

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 2

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 上市保荐书

　　　　　　　　　　　　　 有宽禁带宽度，高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率

　　　　　　　　　　　　　 及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗

　　　　　　　　　　　　　 辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁

　　　　　　　　　　　　　 带宽度大于 2.2ev），也称为高温半导体材料

　　　　　　　　　　　　　 SiC，第三代化合物半导体材料，具有高禁带宽度（对应

　　　　　　　　　　　　　 高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率等特性，

碳化硅　　　　　　　　指　 碳化硅晶片作为半导体衬底材料，可制成碳化硅基功率器

　　　　　　　　　　　　　 件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础

　　　　　　　　　　　　　 材料

　　本保荐书所引用的财务数据和财务指标，如无特殊说明，指

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